普兴公司突破技术瓶颈 6英寸碳化硅外延高速率生长工艺研发成功

普兴公司宣布成功研发出6英寸碳化硅（SiC）外延高速率生长工艺，标志着在第三代半导体电子专用材料领域迈出了关键一步。该工艺通过优化气相外延生长参数，实现了外延层的高速沉积，显著提升了生产效率和材料质量。关键技术突破包括：一是采用新型前驱体输送系统，提高了气体流量稳定性；二是叠加原位监控技术，精确控制温度和退火条件，消除应力和缺陷。专家指出，6英寸大面积晶圆的外延工艺往往要求精准平衡速率与晶体完善度，普兴在这一核心难题上的进展，加速了大尺寸耐高温电子器件的大规模产业化。据技术人员介绍，新工艺基础上生长的外延薄膜已通过6英寸产品试制复核，正赛阶段复合缺陷和环境杂质密度相对4英寸基准均有明显下降。这既有助低成本推广碳化硅器件，支撑高效功率电子车辆、输变电、外通信和光伏行业等领域产业进程的工程难度。